封装类型：QFN
　　工作频率范围：10 MHz - 1 GHz
　　增益：20 dB（典型值）
　　噪声系数：1.5 dB（典型值）
　　输出IP3：+35 dBm（典型值）
　　工作电压：5V
　　工作电流：150 mA（典型值）
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

GS12090-INE3 是一款专为高性能射频系统设计的低噪声放大器（LNA）。其核心特性之一是宽频率覆盖范围，能够在 10 MHz 至 1 GHz 的范围内稳定工作，适用于多种通信标准，如 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE 等。这使得该芯片在多频段无线设备中具有很高的灵活性。
　　该芯片的噪声系数仅为 1.5 dB，确保在接收链的前端提供最低的噪声引入，从而提升整体系统的信噪比。对于无线通信系统而言，低噪声系数意味着更强的信号捕获能力和更高的接收灵敏度。
　　此外，GS12090-INE3 提供高达 20 dB 的典型增益，能够在不引入显著失真的情况下放大微弱信号。其输出三阶交调截点（OIP3）达到 +35 dBm，表明该器件在高线性度要求的应用中表现优异，适用于需要高动态范围的射频前端设计。
　　该芯片采用 QFN 封装，具有良好的热稳定性和机械稳定性，适用于紧凑型设计。其工作电压为 5V，工作电流仅为 150 mA，具有良好的功耗表现，适用于电池供电设备和高密度射频模块。
　　此外，GS12090-INE3 的输入和输出阻抗均为 50 Ω，与大多数射频系统的标准匹配，减少了外部匹配网络的设计复杂度，提高了系统的集成度和可靠性。

GS12090-INE3 主要应用于无线通信系统中的射频接收前端，如蜂窝基站、微波通信设备、无线传感器网络和测试测量仪器等。其优异的噪声性能和高线性度使其成为软件定义无线电（SDR）、宽带通信和低噪声接收机的理想选择。此外，该芯片还可用于卫星通信、雷达系统和频谱分析仪等高端电子设备中。

HMC414MS16E Hittite、ADL5523 Analog Devices、MAX2645 Maxim Integrated