时间：2025/6/30 21:22:57
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GRT32NR61E685KE01L 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频、高效率开关应用而设计。该器件采用增强型场效应晶体管（eGaN FET）技术，能够显著提升系统性能并减少能量损耗。其主要应用场景包括电源转换器、DC-DC转换器、无线充电设备以及各类工业和通信领域的高频开关电路。
该器件具备低导通电阻（Rds(on)）、快速开关特性和出色的热稳定性，非常适合对效率和尺寸有严格要求的现代电子设备。
型号：GRT32NR61E685KE01L
类型：增强型 GaN 场效应晶体管
封装形式：TO-252 (DPAK)
额定电压：650V
额定电流：24A
导通电阻（Rds(on)）：7mΩ
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.5V 至 3.0V
最大工作温度范围：-55°C 至 +175°C
输入电容（Ciss）：2500pF
输出电容（Coss）：90pF
反向恢复时间（trr）：<10ns
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，具有纳秒级的反向恢复时间，适用于高频操作。
3. 650V 的额定击穿电压，确保在高压环境下稳定运行。
4. 小型化的封装设计，适合紧凑型布局需求。
5. 出色的热性能，在高温条件下依然能保持稳定的电气特性。
6. 简化了电路设计，通过更少的元件实现更高的性能。
7. 兼容传统的硅基驱动器，易于集成到现有系统中。
1. 高效 DC-DC 转换器设计。
2. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
3. 无线充电发射端及接收端模块。
4. 快速充电适配器。
5. 工业电机驱动和逆变器控制。
6. 太阳能微逆变器和储能系统中的功率管理。
7. 数据中心服务器电源解决方案。
GXT32NR61E685KE01L
GRT32NR61E650KE01L
GRT32NR60E685KE01L
