时间：2025/7/7 11:36:11
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GRT31CR60J156ME01L 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
其封装形式为TO-252(DPAK)，适合表面贴装技术(SMT)应用，能够显著提高电路的效率和可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：15.6A
导通电阻：4.2mΩ
栅极电荷：7nC
反向恢复时间：45ns
工作温度范围：-55℃ to 175℃
GRT31CR60J156ME01L 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提升系统效率。
2. 高速开关性能，可有效降低开关损耗。
3. 强大的雪崩能力和稳健的短路耐受能力，提高了系统的可靠性和稳定性。
4. 小型化封装设计，节省PCB空间，适用于紧凑型设计。
5. 支持高温操作，能够在恶劣环境下保持稳定的性能表现。
这款功率MOSFET广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC/DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的桥臂开关。
4. 电池保护和负载切换应用。
5. 工业自动化设备及汽车电子中的功率控制模块。
GRT31CR60J156ME02L, IRFZ44N, FDP18N60S
