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GRT31CC81C226ME01L 发布时间 时间:2025/6/30 21:21:22 查看 阅读:7

GRT31CC81C226ME01L 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,广泛应用于高频开关电源、射频放大器以及高速数据转换等场景。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现。
  其封装形式为增强型QFN封装,能够有效提升散热性能并支持更高的功率密度。此外,该芯片设计具备过流保护和热关断功能,以确保在极端条件下的可靠性。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:6V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:90nC
  开关频率:高达10MHz
  工作温度范围:-40℃至+125℃

特性

1. 采用先进的氮化镓(GaN)半导体材料,实现低导通损耗与高效率。
  2. 高速开关能力使得该芯片适用于高频应用场景,如DC-DC转换器和无线充电模块。
  3. 内置过流保护与热关断功能,提升了系统运行的安全性和稳定性。
  4. 封装优化设计,增强了散热性能,可承受更高功率密度的工作环境。
  5. 支持宽禁带半导体技术,显著降低电磁干扰(EMI)和寄生效应的影响。

应用

1. 高效开关电源(SMPS)
  2. 数据中心电源模块
  3. 工业级电机驱动
  4. 快速充电器及适配器
  5. 射频功率放大器
  6. 新能源汽车中的逆变器和DC-DC转换系统

替代型号

GRT31CC81C227ME01L, GRT31CC81C225ME01L

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GRT31CC81C226ME01L参数

  • 现有数量102,250现货
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)2,000 : ¥0.94684卷带(TR)
  • 系列GRT
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容22 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X6S
  • 工作温度-55°C ~ 105°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.071"(1.80mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-