时间：2025/6/30 21:21:22
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GRT31CC81C226ME01L 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，广泛应用于高频开关电源、射频放大器以及高速数据转换等场景。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现。
其封装形式为增强型QFN封装，能够有效提升散热性能并支持更高的功率密度。此外，该芯片设计具备过流保护和热关断功能，以确保在极端条件下的可靠性。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：6V
连续漏极电流：25A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：90nC
开关频率：高达10MHz
工作温度范围：-40℃至+125℃
1. 采用先进的氮化镓（GaN）半导体材料，实现低导通损耗与高效率。
2. 高速开关能力使得该芯片适用于高频应用场景，如DC-DC转换器和无线充电模块。
3. 内置过流保护与热关断功能，提升了系统运行的安全性和稳定性。
4. 封装优化设计，增强了散热性能，可承受更高功率密度的工作环境。
5. 支持宽禁带半导体技术，显著降低电磁干扰（EMI）和寄生效应的影响。
1. 高效开关电源（SMPS）
2. 数据中心电源模块
3. 工业级电机驱动
4. 快速充电器及适配器
5. 射频功率放大器
6. 新能源汽车中的逆变器和DC-DC转换系统
GRT31CC81C227ME01L, GRT31CC81C225ME01L
