时间：2025/7/11 19:53:15
阅读：8
GRT3195C2A822JA02L 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺，适用于高效率、高功率密度的应用场景。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。其封装形式为行业标准的 TO-263，具备良好的散热性能和电气特性。
型号：GRT3195C2A822JA02L
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
栅极电荷(Qg)：47nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
GRT3195C2A822JA02L 具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高电流承载能力，能够显著降低功耗并提升系统效率。
其快速开关特性使得它在高频应用中表现出色，同时具备出色的热稳定性和可靠性。
此外，该器件采用了优化的封装设计，确保了良好的散热性能，适合于要求严格的工业和汽车应用环境。
由于其高耐压能力和大电流处理能力，GRT3195C2A822JA02L 可以广泛用于各种需要高效功率转换的场合，例如服务器电源、通信设备以及电动工具等。
GRT3195C2A822JA02L 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 电机驱动电路，用于控制各类直流电机的运行状态。
3. DC-DC 转换器，提供高效的电压调节功能。
4. 电池管理系统(BMS)，用于保护和管理锂电池组。
5. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率控制单元。
GRT3195C2A822JA02H, IRFZ44N, FDP55N60
