GRT3195C2A562JA02L 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺以提供低导通电阻和高开关速度。该器件适用于多种电源管理应用,例如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等。其封装形式为SOT-227,具有良好的散热性能,能够满足高功率密度设计的需求。
这款MOSFET支持增强型操作模式,当栅极电压达到阈值时,器件进入导通状态。通过优化的结构设计,GRT3195C2A562JA02L在高频工作条件下仍然保持较低的开关损耗。
型号:GRT3195C2A562JA02L
类型:N沟道功率MOSFET
封装:SOT-227
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):56A
导通电阻(Rds(on)):2mΩ(典型值,Vgs=10V)
总功耗(Ptot):180W
工作温度范围:-55℃至175℃
栅极电荷(Qg):65nC(典型值)
反向恢复时间(trr):25ns(典型值)
GRT3195C2A562JA02L 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高额定电流能力 (Id),适合大功率应用场景。
3. 快速开关性能,反向恢复时间 (trr) 短,降低开关损耗。
4. 优化的热性能设计,确保在高温环境下稳定运行。
5. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 175℃),适应各种严苛环境。
6. 栅极驱动要求低,易于与控制器配合使用。
7. 符合RoHS标准,环保且可靠性高。
GRT3195C2A562JA02L 的这些特点使其成为需要高效、快速响应和高可靠性的应用的理想选择。
GRT3195C2A562JA02L 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器,用于实现高效的能量转换。
2. 电机驱动电路,适用于工业自动化设备、家用电器和汽车电子中的无刷直流电机控制。
3. 负载开关和保护电路,用于服务器、通信设备和消费类电子产品中。
4. 电池管理系统 (BMS),用于电动车和储能系统的充放电控制。
5. LED驱动器,用于高亮度照明系统。
6. 工业控制和机器人技术,用于精确的运动控制和功率调节。
由于其出色的性能和可靠性,GRT3195C2A562JA02L 在上述应用中表现出色。
IRF3205, FDP5800, AON6774