时间：2025/7/3 16:49:27
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GRT21BR60G476ME13L 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺设计。该芯片主要应用于高效率、高频开关场景，适合工业控制、通信设备和消费类电子产品中的电源管理模块。其出色的导通电阻和低栅极电荷特性使其成为高效能转换器的理想选择。
型号：GRT21BR60G476ME13L
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：47A
脉冲漏极电流(IDM)：188A
导通电阻(RDS(on))：4.7mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极电荷(Qg)：95nC
总电容(Ciss)：4420pF
工作温度范围(TA)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
这款功率MOSFET具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力，适用于大功率应用。
3. 快速开关速度，能够有效减少开关损耗。
4. 耐雪崩能力强，确保在异常条件下仍能稳定工作。
5. 宽泛的工作温度范围，适应恶劣环境需求。
6. 具备优异的热性能，便于散热设计。
7. 符合RoHS标准，绿色环保。
GRT21BR60G476ME13L 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器电路。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理。
5. 通信基站的电源管理单元。
6. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
7. 各种需要高效率和高可靠性的功率处理场合。
GRT21BR60G476ME13H, IRF540N, FDP5500
