GRT1885C1H122JA02D是一款高性能的射频功率晶体管,主要应用于无线通信、雷达系统和射频能量转换等领域。该器件采用了先进的LDMOS技术,能够在高频段提供高效率和高线性度的性能表现。
该晶体管的设计注重稳定性和可靠性,适用于需要长时间运行且要求低失真的场景。其封装形式为气密封装,具有良好的散热特性和抗环境干扰能力。
型号:GRT1885C1H122JA02D
工作频率范围:800 MHz - 2.7 GHz
输出功率:125 W(典型值)
增益:14 dB(典型值)
效率:55%(典型值)
供电电压:28 V
封装形式:气密陶瓷封装
工作温度范围:-40°C 至 +105°C
这款射频功率晶体管具备以下显著特性:
1. 高输出功率和高效率,特别适合于高频应用场合。
2. 使用LDMOS工艺制造,提供卓越的线性度和稳定性。
3. 内置保护电路,包括过热保护和过载保护功能,以增强设备的可靠性和寿命。
4. 封装设计考虑了优秀的散热性能,能够适应高温环境下的连续工作。
5. 低寄生电感的引脚布局有助于减少高频信号传输中的损耗。
6. 广泛的工作频率范围使其兼容多种无线通信标准,如LTE、WCDMA等。
GRT1885C1H122JA02D广泛应用于以下领域:
1. 基站放大器:在移动通信基站中用作功率放大器的核心元件。
2. 工业射频加热设备:例如塑料焊接机、干燥设备等。
3. 医疗设备:用于MRI成像仪和其他需要精确射频控制的医疗仪器。
4. 雷达系统:可用于气象雷达、空中交通管制雷达以及军事用途雷达。
5. 测试与测量设备:作为信号源或功率放大器使用。
GRT1885C1H122JA01D, GRT1885C1H122JB02D