时间：2025/7/18 9:13:11
阅读：4
GRT155R61E225ME13D 是一款高性能的功率 MOSFET，属于沟道型场效应晶体管。该芯片广泛应用于需要高效率和低损耗的电源管理领域，例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等。它具有出色的导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高系统性能。
型号：GRT155R61E225ME13D
类型：N-Channel MOSFET
封装形式：TO-247-3
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：55A
导通电阻(Rds(on))：22.5mΩ
总功耗(Ptot)：250W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
栅极电荷(Qg)：85nC
GRT155R61E225ME13D 芯片采用了先进的半导体制造工艺，具备以下主要特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达1200V的漏源电压，适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻，仅为22.5mΩ，显著降低了导通损耗。
3. 快速开关性能，栅极电荷较小，有助于减少开关损耗。
4. 宽泛的工作温度范围，从-55℃到+175℃，适应多种极端环境下的使用需求。
5. 强大的电流承载能力，支持连续漏极电流达55A，满足高功率应用场景。
6. 封装形式为TO-247-3，便于散热管理和安装操作。
GRT155R61E225ME13D 广泛应用于以下几个领域：
1. 开关电源(SMPS)，用于实现高效能的电力转换。
2. DC-DC转换器，提供稳定的直流输出电压。
3. 电机驱动，适用于各类电动设备的控制。
4. 太阳能逆变器，帮助将太阳能板产生的直流电转换为交流电。
5. 电动车牵引逆变器，作为电动汽车动力系统中的关键元件。
6. 工业自动化设备，用于精确控制和高效能源管理。
GRT155R61E225ME17D, IRFP260N, STP55NF06
