时间：2025/7/4 23:12:28
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GRT155R61A225KE01J 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能功率晶体管，专为高频、高效应用场景设计。该器件采用增强型 GaN HEMT 结构，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并减少热量损耗。它适用于开关电源、DC-DC 转换器、无线充电以及电机驱动等领域。
型号：GRT155R61A225KE01J
类型：增强型 GaN 功率晶体管
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：8A
导通电阻：22mΩ（典型值）
栅极阈值电压：1.5V~3.5V
工作温度范围：-55℃~+150℃
封装形式：TO-247-4
GRT155R61A225KE01J 具备卓越的性能表现，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（22mΩ），可有效降低传导损耗。
2. 快速开关速度，支持高达2MHz的工作频率。
3. 高击穿电压（650V），确保在高压环境下的稳定运行。
4. 内置 ESD 保护功能，增强可靠性。
5. 采用先进的 GaN 技术，具备更高的功率密度和热效率。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子系统中。
这款 GaN 功率晶体管广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）及 AC-DC 转换器。
2. 高效 DC-DC 转换器，尤其是电动汽车中的车载充电器。
3. 无线充电发射端及接收端模块。
4. 工业电机驱动和伺服控制系统。
5. LED 照明驱动电路。
6. 太阳能逆变器及其他能源管理系统。
GRT155R61A225KE01B, GRT155R61A225KE01C
