时间：2025/7/11 19:57:12
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GRT155R60G475ME13D 是一款高性能的功率 MOSFET，属于沟道场效应晶体管系列。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于各种电源管理场景。其封装形式为 TO-247，适合高电流、高电压的应用场合。
该型号的主要特点在于优化了 Rds(on) 和 Qg 参数，从而降低了导通损耗和开关损耗，提升了整体效率。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：47A
导通电阻：47mΩ
栅极电荷：135nC
功耗：330W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
GRT155R60G475ME13D 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（600V），适用于高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（47mΩ），能够有效降低功率损耗。
3. 快速开关性能，具备较小的栅极电荷（135nC），提高了系统效率。
4. 具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持优异的性能。
5. 强大的过流能力（连续漏极电流高达47A），适应高负载需求。
6. 封装采用 TO-247 标准，便于散热设计和安装。
该器件特别适合需要高效率和高可靠性的应用环境，例如工业电源、太阳能逆变器、电机驱动等领域。
这款 MOSFET 广泛用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，提供高效的电能转换。
2. DC-DC 转换器，用于电压调节和稳定输出。
3. 电机驱动器，控制电机的速度和方向。
4. 太阳能逆变器，将直流电高效转换为交流电。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
GRT155R60G475ME13D 凭借其出色的电气特性和可靠性，成为这些应用的理想选择。
GRT155R60G500MD13D, IRFP460, FDP18N65C3
