时间：2025/3/25 10:59:55
阅读：7
GRT155C80G475ME13D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，从而能够显著提高系统的效率并降低能耗。
该器件属于沟槽型 MOSFET 结构，优化了动态性能和静态性能之间的平衡。此外，它还具备强大的雪崩能力，能够在异常工作条件下提供更高的可靠性。
类型：N-Channel MOSFET
电压(Vds)：650V
电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：47mΩ
栅极电荷(Qg)：23nC
输入电容(Ciss)：3200pF
总功耗(Ptot)：250W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少传导损耗。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷（Qg），有助于提升系统效率。
3. 高度可靠的雪崩能力和短路耐受能力，适合严苛的工作环境。
4. 小型化封装设计，便于在紧凑空间内使用。
5. 宽泛的工作温度范围，确保在极端条件下仍能稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC 转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 太阳能逆变器中用于功率管理。
5. 工业设备及汽车电子领域的高效开关解决方案。
6. LED 驱动器和其他需要大电流、高电压的应用场景。
IRFP460, FQA80N65S, STW97N65M2
