时间：2025/7/10 9:29:05
阅读：10
GRT1555C2AR30BA02D是一款高性能的射频功率晶体管，主要用于无线通信领域。该器件采用了先进的LDMOS工艺制造，具有高效率、高增益和出色的线性度，适用于多种射频放大器应用。其设计针对基站、中继站和其他射频发射设备的需求进行了优化。
型号：GRT1555C2AR30BA02D
类型：射频功率晶体管
工艺：LDMOS
工作频率范围：700 MHz - 2700 MHz
输出功率（Pout）：50 W
增益：15 dB
效率：大于55%
Vds：28 V
封装形式：Flangeless Plastic Package
存储温度范围：-55℃ 至 +150℃
工作温度范围：-40℃ 至 +100℃
GRT1555C2AR30BA02D晶体管具备以下特点：
1. 高输出功率：在28V供电条件下，可提供高达50W的连续波输出功率。
2. 宽带性能：工作频率范围覆盖700MHz至2700MHz，适合多频段应用。
3. 高效率：在典型负载条件下，效率超过55%，有助于降低系统能耗。
4. 出色的线性度：能够满足现代通信系统对ACPR和EVM的要求，确保信号质量。
5. 稳定性：采用内部匹配网络设计，提高了稳定性和可靠性。
6. 小型化封装：采用无引脚塑料封装，节省空间并简化安装过程。
7. 耐热设计：支持较高的结温，增强了高温环境下的工作能力。
GRT1555C2AR30BA02D广泛应用于以下领域：
1. 基站射频功率放大器：
- 包括GSM、CDMA、WCDMA、LTE等移动通信系统。
2. 中继站：
- 提供高效的射频信号增强功能。
3. 固定无线接入设备：
- 如WiMAX和微波链路设备。
4. 测试与测量：
- 在实验室环境中作为功率源使用。
5. 其他射频发射设备：
- 包括广播系统和雷达系统中的功率放大模块。
GRT1555C2BR30BA02D, GRT1555C2CR30BA02D
