时间：2025/7/12 5:07:50
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GRT1555C1HR11BA02D 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率、高频率的开关电源和电机驱动领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适合用于要求严格的工业及消费电子领域。
型号：GRT1555C1HR11BA02D
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：38A
导通电阻(Rds(on))：1.1mΩ
总功耗(Ptot)：78W
工作温度范围(Top r.)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
GRT1555C1HR11BA02D 的显著特点是其具备极低的导通电阻（1.1mΩ），这有助于减少传导损耗并提高系统效率。
此外，其支持高达38A的连续漏极电流和60V的最大漏源电压，使得这款MOSFET在高负载应用中表现出色。
同时，由于采用了最新的半导体技术，该芯片具有非常快的开关速度，可有效降低开关损耗，并在高频运行环境下保持高效性能。
另外，其工作温度范围宽广（-55℃到+175℃），能够在恶劣环境下稳定运行，适用于各种工业场景。
GRT1555C1HR11BA02D 广泛应用于多种需要高效功率转换的场景，包括但不限于：
- 开关模式电源(SMPS)
- 电动工具和家用电器中的电机驱动
- 工业自动化设备中的电源管理
- 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)
- 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电池管理系统(BMS)
其出色的电气特性和可靠性使其成为这些领域的理想选择。
GRT1555C1HR11BA01D
GRT1555C1HR11BA03D
