时间：2025/6/30 9:40:35
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GRT1555C1H751JA02D是一款高性能的射频功率晶体管，专为无线通信、射频放大器和其他高频应用设计。该晶体管采用先进的半导体制造工艺，确保了在高频段下的高效性能和稳定性。
这款元器件主要应用于基站放大器、无线电设备以及其他需要高增益和高效率的射频电路中。其出色的线性度和增益特性使其成为许多现代通信系统中的关键组件。
型号：GRT1555C1H751JA02D
类型：射频功率晶体管
工作频率范围：400 MHz - 3.8 GHz
最大输出功率：50 W
增益：15 dB
电源电压：28 V
封装形式：TO-263
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
插入损耗：小于2 dB
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
GRT1555C1H751JA02D具有卓越的高频性能，能够在广泛的频率范围内提供稳定的输出功率和增益。它采用了高效的散热设计，从而提高了可靠性和使用寿命。
此外，该晶体管还具备良好的线性度和低失真特性，这使得它非常适合于对信号质量要求较高的应用环境。
该元器件的封装形式为TO-263，易于集成到各种电路板设计中，并且支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和装配。
它的宽泛的工作温度范围使其能够在恶劣的环境条件下正常工作，无论是极寒还是高温环境都能保持稳定的性能表现。
GRT1555C1H751JA02D广泛应用于无线通信领域，包括但不限于：
- 基站射频功率放大器
- 移动通信设备
- 无线电发射机
- 卫星通信系统
- 工业、科学和医疗（ISM）频段设备
- 雷达和导航系统
其高效率和高可靠性使其成为这些高性能应用的理想选择。
GRT1555C1H751JA01D
GRT1555C1H751JB02D
GRT1555C1H751JC01D
