时间：2025/3/27 14:38:32
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GRT1555C1H751FA02D 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率晶体管，主要用于高频、高效能开关电源及射频应用。该器件采用增强型场效应晶体管（e-mode FET）结构，具备低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式为表面贴装，适合自动化生产和紧凑型设计。
该型号属于 GeneSiC 半导体公司旗下的 GaN 晶体管系列，专为高效率、高功率密度的应用而设计，广泛应用于 DC-DC 转换器、逆变器、无线充电设备等场景。
最大漏源电压：650V
持续漏极电流：8A
导通电阻：75mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1300pF
开关频率：高达 10MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高击穿电压（650V），适用于宽范围输入电压的电源系统。
2. 极低的导通电阻（75mΩ），可显著降低导通损耗，提升整体效率。
3. 快速开关能力，支持 MHz 级别的开关频率，有助于缩小无源元件体积。
4. 优异的热稳定性，即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
5. 内置静电保护功能，增强器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保，满足国际环保要求。
1. 高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器
2. 工业级电机驱动和逆变器
3. 射频功率放大器
4. 无线电力传输模块
5. 数据中心和电信设备中的高效电源解决方案
6. 汽车电子中的 DC-DC 转换及车载充电器
GRT1555C1H751FA02E, GRT1555C1H801FA02D
