时间：2025/7/10 16:33:01
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GRT1555C1H621FA02D 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要用于开关和放大应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。它通常应用于电源管理、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场合。
该型号属于沟道增强型 MOSFET，适用于要求高效率和低功耗的设计场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：140A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：95nC
开关时间：ton=27ns, toff=18ns
结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-247-3
GRT1555C1H621FA02D 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适合开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 高额定电流，能够承受大负载电流，适用于工业和汽车领域。
4. 出色的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
5. 小巧紧凑的封装设计，便于安装和散热管理。
6. 符合 RoHS 标准，环保且兼容现代绿色设计需求。
这款 MOSFET 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 AC-DC 适配器。
2. 电机控制与驱动电路。
3. 工业自动化设备中的功率调节模块。
4. 新能源系统如太阳能逆变器和电池管理系统 (BMS)。
5. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
6. 高效 DC-DC 转换器和多相控制器。
GRT1555C1H621FA02D 的强大性能使其成为许多高要求应用的理想选择。
GRT1555C1H621FA01D, IRFP2907ZPBF, STW15NM60LL
