时间：2025/4/3 15:21:40
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GRT1555C1H511FA02D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高效率的特点，能够在高频工作条件下保持优异的性能表现。
此型号中的具体参数可以根据应用场景进行优化，适用于要求高效率和低功耗的电路设计。
类型：N-Channel MOSFET
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
击穿电压（V(BR)DSS）：60V
连续漏极电流（Id）：90A（Tc=25℃）
栅极电荷（Qg）：78nC
反向恢复时间（trr）：43ns
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高击穿电压，确保在高压应用环境下的可靠性和稳定性。
3. 快速开关能力，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 小型化封装设计，便于在紧凑空间内使用。
5. 宽广的工作温度范围，适应多种恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺制造。
1. 开关电源（SMPS）及 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 电动汽车及混合动力汽车的电池管理系统。
5. 太阳能逆变器和其他高效能源转换设备。
6. 各类需要大电流、低损耗的电力电子应用。
GRT1555C1H511FA01B, IRFP2907, FDP157N06L
