时间：2025/7/12 5:15:07
阅读：8
GRT1555C1H360GA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺设计。该器件主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效率和低损耗的应用场景。其出色的导通电阻和快速开关特性使其成为许多电力电子应用的理想选择。
该型号属于增强型N沟道MOSFET系列，具有低导通电阻、高击穿电压和优秀的热稳定性。通过优化的设计，GRT1555C1H360GA02D能够在高频条件下提供卓越的性能表现。
类型：N沟道MOSFET
封装形式：TO-247
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：36A
导通电阻(Rds(on))：0.035Ω
总功耗(Ptot)：280W
工作温度范围：-55℃至+175℃
栅极电荷(Qg)：95nC
反向恢复时间(trr)：55ns
1. 超低导通电阻：Rds(on)仅为0.035Ω，有效降低导通损耗，提高整体系统效率。
2. 高耐压能力：Vds高达650V，能够满足多种高压应用场景需求。
3. 快速开关性能：具备较低的栅极电荷和反向恢复时间，支持高频开关操作。
4. 优异的热稳定性：可在-55℃至+175℃的工作温度范围内稳定运行。
5. 大电流承载能力：Id可达36A，适用于大功率设备。
6. 符合RoHS标准：环保无铅设计，适合现代工业对环境的要求。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 逆变器
5. 光伏并网发电系统
6. 工业自动化设备
7. 电动车及混合动力车中的电池管理系统(BMS)
GRT1555C1H360GA01B, IRFP260N, STP36NF06L
