时间：2025/6/29 8:46:52
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GRT1555C1H201FA02D 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺和封装技术。该器件主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。
此型号属于增强型N沟道MOSFET，能够在较高的频率下实现高效的功率转换，并且具备出色的抗浪涌能力和稳定性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：43A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：45nC
反向恢复时间：80ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻使得该器件在高电流应用中能够显著降低功耗。
2. 高效的散热设计使其能够在高温环境下长期稳定运行。
3. 快速开关能力适用于高频电路设计，减少开关损耗。
4. 具备强大的短路保护功能，提高系统可靠性。
5. 采用行业标准的封装形式，便于集成到各种电子设备中。
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. 用于高效DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 各类电机驱动电路中的功率开关。
4. 负载开关及保护电路中的关键组件。
5. 电池管理系统中的充放电控制开关。
GRT1555C1H201FA01D, GRT1555C1H201FA03D, IRF540N, FDP155AN
