时间：2025/7/3 16:37:57
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GRT1555C1H151FA02D 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和放大应用。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高效率和快速开关速度等特点，适用于多种电源管理场景。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，具有较高的电流承载能力和较低的功耗，非常适合在高频率和高功率环境下使用。
型号：GRT1555C1H151FA02D
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：35A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
总栅极电荷(Qg)：75nC
输入电容(Ciss)：2580pF
输出电容(Coss)：480pF
反向传输电容(Crss)：120pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 超低导通电阻 Rds(on)，有助于降低功耗和提升效率。
2. 高电流承载能力 Id，使其能够胜任大功率应用场景。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷 Qg 和优化的寄生电容。
4. 宽工作温度范围，支持从极端低温到高温的工作环境。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的需求。
6. 提供强大的 ESD 防护能力，提高了产品的可靠性和耐用性。
7. 小封装设计，便于 PCB 布局和集成。
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动器中的功率级开关元件。
3. DC/DC 转换器中的高频开关。
4. LED 照明系统的恒流控制电路。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和切换功能。
6. 工业自动化设备中的负载切换和功率控制模块。
7. 通信设备中的高效电源转换解决方案。
GRT1555C1H151FA01D, IRF2807ZPBF, STP36NF06L
