您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GRT1555C1H110FA02D

GRT1555C1H110FA02D 发布时间 时间:2025/7/1 7:48:35 查看 阅读:6

GRT1555C1H110FA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片,基于先进的半导体制造工艺设计。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性,适用于多种功率转换应用。它通常被用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景中。

参数

类型:功率MOSFET
  封装:TO-252/DPAK
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):1.1mΩ
  栅极电荷(Qg):38nC
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

GRT1555C1H110FA02D采用沟槽式MOSFET技术,显著降低了导通电阻,从而减少了功率损耗并提升了效率。
  其高耐压能力使其能够承受瞬态高压冲击,提高了系统可靠性。
  该器件具备快速开关特性,适合高频应用场合,并且内部集成了防静电保护功能,增强了抗干扰能力。
  此外,其低热阻封装有助于改善散热性能,支持大电流持续运行。

应用

该芯片广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 降压或升压型DC-DC转换器的核心功率元件。
  3. 电动工具、家用电器及工业自动化设备中的电机驱动电路。
  4. 各类负载开关和保护电路,例如电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  5. 高效能LED驱动器解决方案中的关键组件。

替代型号

GRT1555C1H110FA01D, IRFZ44N, FDP5512

GRT1555C1H110FA02D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

GRT1555C1H110FA02D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.09274卷带(TR)
  • 系列*
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容-
  • 容差-
  • 电压 - 额定-
  • 温度系数-
  • 工作温度-
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用-
  • 故障率-
  • 安装类型-
  • 封装/外壳-
  • 大小 / 尺寸-
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)-
  • 引线间距-
  • 引线样式-