时间：2025/7/12 2:44:53
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GRT1555C1E181JA02D是一款高性能的射频功率晶体管，主要用于无线通信系统中的功率放大器应用。该器件采用先进的LDMOS技术制造，具有高增益、高效率和宽带宽的特点，适用于基站、中继器和其他射频功率放大设备。其设计旨在满足现代通信标准对于线性和输出功率的要求。
型号：GRT1555C1E181JA02D
类型：射频功率晶体管
封装：陶瓷气密封装
工作频率范围：1710 MHz 至 2170 MHz
输出功率（典型值）：43 dBm
增益（典型值）：16 dB
效率（典型值）：45 %
输入匹配阻抗：50 Ω
输出匹配阻抗：50 Ω
最大栅极电压：+28 V
最大漏极电流：15 A
工作温度范围：-40 ℃ 至 +85 ℃
GRT1555C1E181JA02D采用了增强型LDMOS工艺，能够提供卓越的射频性能。它具备高线性度，适合于多载波应用，并且在宽带条件下表现出色。该器件还具有出色的热稳定性和可靠性，能够承受较高的峰值功率。此外，其优化的内部匹配网络减少了外部组件需求，简化了系统设计并提高了整体效率。
这款晶体管特别适合于WCDMA、LTE等复杂调制信号环境下的应用，同时支持Doherty架构以进一步提升效率。它的高增益特性和宽频带能力使得它成为多种通信系统的理想选择。
GRT1555C1E181JA02D广泛应用于各种射频功率放大器场景，包括但不限于：
1. 基站发射机功率放大器：
- WCDMA/HSPA/LTE基站
2. 射频中继器：
- 提供稳定的功率放大功能
3. 固定无线接入设备：
- 点对点或点对多点通信系统
4. 测试与测量设备：
- 高功率射频信号源
由于其高效率和宽带能力，该器件非常适合需要高功率密度和低热耗散的应用场景。
GRT1555C1E181JA01D
GRT1555C1E181JA03D
