GRT033R61A333KE01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于沟道增强型场效应晶体管。它采用了先进的制造工艺,能够在高频开关应用中提供高效的功率转换和低导通损耗。
该器件适用于需要高效率、低功耗和快速开关的应用场景。其出色的热特性和电气性能使其成为工业电源、通信设备以及消费电子领域的理想选择。
型号:GRT033R61A333KE01D
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源电压):60V
RDS(on)(导通电阻):3.3mΩ
ID(连续漏极电流):90A
Qg(栅极电荷):75nC
VGS(th)(栅极开启电压):2.2V
f(工作频率):高达 1MHz
封装形式:TO-247
GRT033R61A333KE01D 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),仅为 3.3mΩ,能够显著降低传导损耗。
2. 高电流承载能力,最大连续漏极电流可达 90A。
3. 快速开关性能,支持高达 1MHz 的工作频率。
4. 出色的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持可靠的性能。
5. 高效的功率转换能力,适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动和太阳能逆变器等应用。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
GRT033R61A333KE01D 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
2. 电机驱动电路,例如电动工具、家用电器和工业自动化设备。
3. 太阳能逆变器和 UPS 系统中的功率管理模块。
4. 汽车电子系统中的负载切换和电池保护。
5. 通信设备中的高效电源管理解决方案。
GRT033R61A333KE02D, IRF3710, FDP5800