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GRT033R61A333KE01D 发布时间 时间:2025/7/18 8:46:51 查看 阅读:3

GRT033R61A333KE01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于沟道增强型场效应晶体管。它采用了先进的制造工艺,能够在高频开关应用中提供高效的功率转换和低导通损耗。
  该器件适用于需要高效率、低功耗和快速开关的应用场景。其出色的热特性和电气性能使其成为工业电源、通信设备以及消费电子领域的理想选择。

参数

型号:GRT033R61A333KE01D
  类型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源电压):60V
  RDS(on)(导通电阻):3.3mΩ
  ID(连续漏极电流):90A
  Qg(栅极电荷):75nC
  VGS(th)(栅极开启电压):2.2V
  f(工作频率):高达 1MHz
  封装形式:TO-247

特性

GRT033R61A333KE01D 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),仅为 3.3mΩ,能够显著降低传导损耗。
  2. 高电流承载能力,最大连续漏极电流可达 90A。
  3. 快速开关性能,支持高达 1MHz 的工作频率。
  4. 出色的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持可靠的性能。
  5. 高效的功率转换能力,适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动和太阳能逆变器等应用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。

应用

GRT033R61A333KE01D 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
  2. 电机驱动电路,例如电动工具、家用电器和工业自动化设备。
  3. 太阳能逆变器和 UPS 系统中的功率管理模块。
  4. 汽车电子系统中的负载切换和电池保护。
  5. 通信设备中的高效电源管理解决方案。

替代型号

GRT033R61A333KE02D, IRF3710, FDP5800

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GRT033R61A333KE01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.05299卷带(TR)
  • 系列GRT
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.033 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定10V
  • 温度系数X5R
  • 工作温度-55°C ~ 85°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-