时间：2025/6/30 21:26:19
阅读：4
GRT033R60J333KE01D 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管，专为高频和高效能应用设计。该器件采用先进的封装技术，具有出色的散热性能和电气特性，适用于高功率密度的设计需求。
其主要特点包括低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压，能够显著提高电源转换效率并减少系统体积。这种型号特别适合在开关模式电源 (SMPS)、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用中使用。
型号：GRT033R60J333KE01D
类型：GaN 功率晶体管
最大漏源电压 (Vds)：600V
连续漏极电流 (Id)：33A
导通电阻 (Rds(on))：33mΩ
栅极电荷 (Qg)：75nC
输入电容 (Ciss)：2500pF
反向恢复时间 (trr)：80ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-4
1. 高击穿电压：高达 600V 的漏源电压，确保了器件在高压环境下的稳定性和可靠性。
2. 低导通电阻：仅 33mΩ 的导通电阻可以显著降低传导损耗，从而提高系统效率。
3. 快速开关能力：低栅极电荷和短反向恢复时间使得开关频率得以提升，同时减少开关损耗。
4. 热性能优异：通过优化的封装设计，器件具备良好的散热能力，可适应高功率应用场景。
5. 宽温范围支持：能够在 -55℃ 至 +175℃ 的温度范围内正常工作，适用于极端环境条件。
1. 开关模式电源 (SMPS)：
GRT033R60J333KE01D 的高效率和快速开关特性使其成为 SMPS 设计的理想选择，特别是在需要高功率密度的应用中。
2. DC-DC 转换器：
在各种类型的 DC-DC 转换器中，这款 GaN 晶体管能够提供更高的效率和更小的解决方案尺寸。
3. 电机驱动：
由于其低导通电阻和高电流处理能力，该器件非常适合用于高效电机驱动器。
4. 充电器和适配器：
在便携式设备充电器和适配器中，这款晶体管有助于实现紧凑型设计并提升充电效率。
GRT033R65J333KE01D, GRT033R50J333KE01D
