时间：2025/7/10 2:19:47
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GRT0335C1H8R0DA02D 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，属于 GaN Systems 的GS-HEMT 系列。该器件采用了增强型场效应晶体管（e-mode HEMT）设计，具有极低的导通电阻和快速开关性能，适用于高效率、高频应用场合。
此型号特别适合用于电源管理领域，例如服务器电源、电动汽车充电设备以及太阳能逆变器等场景。由于其卓越的热特性和电气性能，能够显著减少能量损耗并提升系统整体效率。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：35A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：74nC
反向恢复电荷：0nC
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：Direct Drive Array (DDA) 2P
GRT0335C1H8R0DA02D 具有以下显著特性：
1. 高效性：超低导通电阻（8mΩ），使得传导损耗大幅降低，非常适合高功率密度设计。
2. 快速开关能力：极小的栅极电荷与输出电荷确保了更快的开关速度，从而减少开关损耗。
3. 增强型设计：仅在正栅极驱动电压下开启，简化了电路设计并增强了可靠性。
4. 耐用性强：支持高达 650V 的漏源电压，具备强大的过压保护能力。
5. 热性能优异：采用 Direct Drive Array 封装，直接散热路径优化了热管理效果。
6. 安全操作区域宽广：可以承受长时间高电流脉冲而不损坏。
该型号主要应用于以下领域：
1. 数据中心及服务器电源供应单元（PSU）。
2. 工业电机驱动控制。
3. 新能源汽车车载充电器（OBC）和 DC/DC 转换器。
4. 太阳能光伏逆变器和其他可再生能源转换系统。
5. 消费类电子产品中的快速充电适配器。
6. 无线电力传输装置。
GRT0335C1H8R0DA02D 凭借其出色的性能表现，成为上述应用场景中提高效率和减小体积的理想选择。
GRT0335C1H10R0DA02D, GRT0335C1H5R0DA02D
