时间：2025/6/28 21:39:28
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GRT0335C1H160JA02D 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的沟槽式工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。该器件适用于多种电源管理应用场合，包括开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等场景。
该芯片通过优化的结构设计，在保证高效率的同时，还具备出色的热性能和可靠性，能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
类型：N-Channel MOSFET
额定电压(Vdss)：60V
额定电流(Id)：160A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
栅极电荷(Qg)：85nC
输入电容(Ciss)：4350pF
最大功耗(Ptot)：250W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
GRT0335C1H160JA02D 的主要特点是其超低的导通电阻，仅为1.5mΩ，这使得它在大电流应用中表现出色，显著降低了传导损耗。此外，该器件具有快速开关能力，栅极电荷较小，可以有效减少开关损耗。
该功率MOSFET还采用了坚固的结构设计，确保在高温和高频条件下仍能保持稳定的性能。同时，其出色的散热性能使其非常适合用于高功率密度的应用环境。
另外，这款器件具备良好的短路耐受能力和抗雪崩能力，进一步增强了其在复杂工况下的可靠性和安全性。
GRT0335C1H160JA02D 广泛应用于各种需要高效功率控制的领域，例如服务器电源、通信电源、工业自动化设备中的DC-DC转换器、电动工具和家用电器的电机驱动电路。
此外，由于其高电流承载能力和低导通电阻的特点，该器件也常被用作负载开关或保护电路中的关键组件。在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，这款功率MOSFET同样发挥着重要作用。
GRT0335C1H160FA02D, GRT0335C1H160GA02D
