时间：2025/6/30 21:20:58
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GRT0335C1ER11BA02D 是一款高性能、低功耗的射频功率放大器芯片，广泛应用于无线通信领域。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有出色的线性度和效率，在特定频率范围内表现出卓越的增益性能。其紧凑的设计和高集成度使其非常适合于便携式设备和空间受限的应用场景。
此外，这款芯片内置了匹配网络和偏置电路，从而简化了外部电路设计并降低了整体解决方案的成本。
型号：GRT0335C1ER11BA02D
工作电压：2.8V 至 3.6V
输出功率：29dBm（典型值）
增益：20dB（典型值）
工作频率范围：750MHz 至 960MHz
电源电流：400mA（典型值）
封装形式：QFN-16 (3mm x 3mm)
工作温度范围：-40℃ 至 +85℃
存储温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 高输出功率和高增益，适用于多种无线通信标准。
2. 内置匹配网络和偏置电路，减少外围元件数量。
3. 高效的功率转换效率，延长电池供电设备的使用寿命。
4. 小尺寸封装，节省PCB面积。
5. 支持关断模式，进一步降低待机功耗。
6. 稳定的工作性能，适应宽广的工作温度范围。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. GSM/EDGE 移动通信终端
2. 物联网（IoT）设备
3. 智能家居无线模块
4. 工业无线传感器节点
5. 可穿戴设备中的无线通信部分
6. 车载短距离通信系统
7. 其他需要高效射频放大的应用场景
GRT0335C1ER11BA02F, GRT0335C1ER11BA02G
