电容值：22μF
　　容差：±20%
　　额定电压：10V
　　温度特性：X7R（-55°C ~ +125°C）
　　封装尺寸：0805（公制2121）
　　介质材料：陶瓷
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　绝缘电阻：≥10000MΩ
　　ESR：低至数mΩ（具体值取决于频率）
　　结构：多层陶瓷贴片电容

GRM21BZ71A226ME15 作为一款高性能的多层陶瓷电容，具有多项显著的特性。首先，其采用X7R介质材料，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持稳定的电容性能，容差变化不超过±15%。这种优异的温度稳定性使其适用于各种苛刻环境下的应用。其次，该电容具有较高的体积效率，在0805（公制2121）的封装尺寸下实现了22μF的较大容量，满足了现代电子设备对高容量、小尺寸的双重需求。此外，GRM21BZ71A226ME15具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），能够有效降低高频噪声并提高去耦性能，从而提升系统的稳定性。该电容还具有良好的耐湿性和抗老化性能，确保在长期使用过程中保持稳定的电气特性。最后，由于其无极性设计，安装时无需考虑方向问题，进一步提高了使用的便利性。
　　从结构上看，GRM21BZ71A226ME15采用多层陶瓷堆叠结构，每层电极与介质交替排列，极大地提高了电容密度。其内部电极采用镍（Ni）/银（Ag）合金材料，不仅降低了成本，还保持了良好的导电性和焊接性能。外部端子则采用三层电镀结构（通常为Sn/Ni/Sn），增强了可焊性和耐腐蚀性，确保与PCB的良好连接。在制造工艺上，Murata采用了先进的自动化生产流程，确保每只电容都具有高度的一致性和可靠性，适用于SMT（表面贴装技术）工艺，能够轻松集成到现代高密度PCB设计中。

GRM21BZ71A226ME15 多层陶瓷贴片电容由于其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于多个电子领域。在电源管理电路中，它常用于输入/输出滤波电容、去耦电容和储能电容，以稳定电压、降低噪声并提高电源效率。在数字电路设计中，该电容可用于为微处理器、FPGA、ASIC等高速器件提供稳定的去耦，有效降低高频噪声干扰，确保系统稳定运行。通信设备中，GRM21BZ71A226ME15 被广泛用于射频前端模块、基带处理单元和电源管理模块，起到滤波、耦合和旁路的作用。在汽车电子系统中，如车载导航、车载娱乐系统和车身控制模块，该电容因其宽温度范围特性，能够在严苛的环境下保持稳定性能。此外，该电容也常用于工业自动化设备、医疗电子设备、智能穿戴设备和消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等，满足对高容量、小尺寸和高可靠性的需求。

TDK C3216X7R1A226M160AC, KEMET C2012X7R1A226MZ, YAGEO CC0805ZRY7R106K226M