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GRM1555C1H4R7BA01D 发布时间 时间:2025/7/10 0:19:46 查看 阅读:13

GRM1555C1H4R7BA01D 是一款由村田制作所(Murata)生产的多层陶瓷电容器(MLCC),属于 C0G(NP0)介质类型。该型号具有高稳定性和低ESR特性,适用于高频滤波、耦合和去耦等场景。其封装尺寸为 0603 英寸(约1.6x0.8mm),并采用卷带式包装以方便表面贴装工艺(SMD)。该产品符合 RoHS 标准,并支持无铅焊接。

参数

电容值:4.7pF
  额定电压:50V
  公差:±0.25pF
  温度特性:C0G(NP0)
  封装尺寸:0603英寸(1.6x0.8mm)
  直流偏置特性:极低影响
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
  介电常数:7.5

特性

GRM1555C1H4R7BA01D 的主要特点是其采用了 C0G 介质材料,这种材料能够确保电容器在宽温度范围内保持高度稳定的电容值变化率(ΔC/C0 ≤ ±30ppm/℃)。此外,由于其超小的尺寸和高可靠性,该型号非常适合用于射频电路中的匹配网络、谐振回路以及高频信号处理。同时,它还具备较低的寄生效应和良好的高频性能。
  由于 C0G 材料的固有属性,此电容器对直流偏置的影响几乎可以忽略不计,从而使其成为精密应用的理想选择。此外,该器件的高 Q 值(低损耗)也使得它非常适合需要高效率和低噪声的设计环境。

应用

GRM1555C1H4R7BA01D 广泛应用于各类电子设备中,特别是在需要高性能和高可靠性的领域,例如:
  1. 射频模块中的滤波和阻抗匹配。
  2. 高频通信设备中的信号调节。
  3. 振荡器和时钟电路中的稳定性补偿。
  4. 医疗设备、航空航天和军事领域的精密控制电路。
  5. 手机和其他无线通信终端中的 RF 前端设计。
  6. 音频设备中的高频信号耦合与隔离。
  该电容器凭借其小型化设计和卓越的电气性能,尤其适合于便携式电子产品和空间受限的应用场合。

替代型号

GRM1555C1H4R7BA01D 的潜在替代型号包括:
  1. TDK C0G 系列 - C0G315C4R7B5G
  2. Samsung C0G 系列 - CL1NP4R7BB5NNNC
  3. Kemet C0G 系列 - C0G155C4R7K5R
  4. AVX C0G 系列 - 06035C4R7G100CT

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GRM1555C1H4R7BA01D参数

  • 制造商Murata
  • 产品种类多层陶瓷电容 (MLCC) - SMD/SMT
  • 电容4.7 pF
  • 容差0.1 pF
  • 电压额定值50 Volts
  • 温度系数/代码C0G (NP0)
  • 外壳代码 - in0402
  • 外壳代码 - mm1005
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 产品General Type MLCCs
  • 封装Reel
  • 尺寸0.5 mm W x 1 mm L x 0.5 mm H
  • 封装 / 箱体0402 (1005 metric)
  • 系列GRM
  • 工厂包装数量10000
  • 端接类型SMD/SMT