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GRJ43QR72E154KWJ1L 发布时间 时间:2025/5/13 12:16:36 查看 阅读:4

GRJ43QR72E154KWJ1L 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,从而提高了系统的效率并降低了功耗。
  这款功率MOSFET具有增强型设计,其栅极驱动电压范围宽,便于与多种控制器配合使用。同时,它还具有出色的热性能和耐用性,适合在高电流和高频率条件下工作。

参数

型号:GRJ43QR72E154KWJ1L
  类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):72V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):154A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):68nC(典型值)
  输入电容(Ciss):5500pF(典型值)
  总功耗(Ptot):280W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

GRJ43QR72E154KWJ1L 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,能够降低开关损耗并在高频应用中表现出色。
  3. 高雪崩能量耐受能力,确保在异常条件下仍能可靠运行。
  4. 宽范围的栅极驱动电压,支持多种逻辑电平直接驱动。
  5. 良好的热稳定性和鲁棒性,适用于严苛的工作环境。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电路设计中。
  7. 可靠的电气隔离性能,防止漏电流影响系统稳定性。

应用

该器件广泛应用于各种高功率电子设备中,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器和工业电源。
  2. DC-DC转换器,用于汽车电子和通信基础设施。
  3. 电机驱动器,特别是电动汽车和工业自动化中的大功率电机控制。
  4. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  5. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源解决方案。
  6. 高效负载开关和保护电路。
  7. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。

替代型号

GRJ43QR75E160KWJ1L, IRF7843, FDP18N70

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GRJ43QR72E154KWJ1L参数

  • 制造商Murata
  • 电容0.15 uF
  • 容差10 %
  • 电压额定值250 Volts
  • 温度系数/代码X7R
  • 外壳代码 - in1808
  • 外壳代码 - mm4520
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 产品General Type MLCCs
  • 封装Reel
  • Capacitance - nF150 nF
  • Capacitance - pF150000 pF
  • 尺寸3.2 mm W x 4.5 mm L x 1.5 mm H
  • 封装 / 箱体1808 (4520 metric)
  • 系列GRJ
  • 工厂包装数量2000
  • 端接类型SMD/SMT