GRJ43QR72E154KWJ1L 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,从而提高了系统的效率并降低了功耗。
这款功率MOSFET具有增强型设计,其栅极驱动电压范围宽,便于与多种控制器配合使用。同时,它还具有出色的热性能和耐用性,适合在高电流和高频率条件下工作。
型号:GRJ43QR72E154KWJ1L
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):72V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):154A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):68nC(典型值)
输入电容(Ciss):5500pF(典型值)
总功耗(Ptot):280W
结温范围(Tj):-55℃至+175℃
封装形式:TO-247-3
GRJ43QR72E154KWJ1L 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力,能够降低开关损耗并在高频应用中表现出色。
3. 高雪崩能量耐受能力,确保在异常条件下仍能可靠运行。
4. 宽范围的栅极驱动电压,支持多种逻辑电平直接驱动。
5. 良好的热稳定性和鲁棒性,适用于严苛的工作环境。
6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电路设计中。
7. 可靠的电气隔离性能,防止漏电流影响系统稳定性。
该器件广泛应用于各种高功率电子设备中,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器和工业电源。
2. DC-DC转换器,用于汽车电子和通信基础设施。
3. 电机驱动器,特别是电动汽车和工业自动化中的大功率电机控制。
4. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
5. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源解决方案。
6. 高效负载开关和保护电路。
7. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
GRJ43QR75E160KWJ1L, IRF7843, FDP18N70