GR443QR73D392KW01K 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高频开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低能耗并提高系统效率。
该型号属于东芝(Toshiba)的 U-MOS 系列产品,专为高效率、高密度的设计需求而优化。其封装形式为 TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT),从而简化了生产流程并提高了可靠性。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:43A
导通电阻:2.8mΩ
栅极电荷:15nC
开关时间:ton=9ns,toff=16ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
GR443QR73D392KW01K 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高整体效率。
2. 快速的开关性能,适用于高频应用场合,能够支持更紧凑的磁性元件设计。
3. 高耐热能力,工作结温高达 175°C,适应恶劣环境下的长期运行。
4. 内置反向恢复二极管,进一步降低了开关过程中的能量损失。
5. 符合 RoHS 标准,满足环保要求。
6. 表面贴装封装,增强了机械稳定性和散热性能。
该芯片广泛用于多种电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
2. 电机驱动电路,例如家用电器和工业自动化设备中的无刷直流电机控制。
3. 汽车电子系统,如电动车窗、座椅调节和空调压缩机控制。
4. 各类 DC-DC 转换器,涵盖通信基站、服务器电源以及便携式设备供电方案。
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关设备。
GR443QR73D392KWP01K