时间：2025/6/17 18:43:44
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GR442QR73D821KW01L 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，专为需要高效率和低功耗的应用而设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有出色的开关特性和导通性能，适用于各种电源管理、电机驱动和功率转换场景。
该型号属于沟道型 MOSFET，能够支持较高的电流和电压水平，同时具备较低的导通电阻，从而减少了功率损耗并提高了整体系统效率。
类型：MOSFET
极性：N-Channel
最大漏源电压Vds：650V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大漏极电流Id：16A
导通电阻Rds(on)：350mΩ（在 Vgs=10V 时）
总功耗Ptot：150W
结温范围Tj：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
GR442QR73D821KW01L 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够在大电流应用中减少功率损耗，提高系统效率。
2. 高耐压能力，最大漏源电压 Vds 达到 650V，适合高压工作环境。
3. 快速开关特性，能够有效降低开关损耗，特别适用于高频开关电源和逆变器。
4. 强大的散热性能，通过优化的封装设计支持更高的功率密度。
5. 工作温度范围广，能够在极端环境下稳定运行。
6. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的可靠性。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
4. 汽车电子设备中的负载切换和控制。
5. 工业自动化和机器人领域的功率管理系统。
6. 电池充电器和 UPS 系统中的关键功率元件。
GR442QR73D821KW02H, IRF840, STP16NF65
