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GR343DD72W154KW01L 发布时间 时间:2025/6/16 9:21:45 查看 阅读:3

GR343DD72W154KW01L是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高电压和高电流场景。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,适用于工业级和消费级电子设备中的电源管理电路。
  此型号为N沟道增强型MOSFET,具有出色的热性能和电气特性,能够显著提升系统的效率和稳定性。

参数

额定电压:700V
  额定电流:40A
  导通电阻:0.08Ω
  栅极电荷:75nC
  输入电容:1250pF
  最大功耗:200W
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

1. 高击穿电压,可承受高达700V的工作电压,确保在高电压环境下稳定运行。
  2. 极低的导通电阻,仅为0.08Ω,在大电流应用中降低功耗和发热。
  3. 快速开关能力,栅极电荷小,有助于提高系统效率并减少电磁干扰(EMI)。
  4. 良好的热性能设计,能够在高温环境下保持长期可靠运行。
  5. 提供卓越的短路耐受能力和鲁棒性,适合各种严苛的应用环境。

应用

GR343DD72W154KW01L广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动、不间断电源(UPS)等高电压和高电流场景。其高效能和高可靠性使其成为工业控制、新能源汽车和家用电器领域的理想选择。

替代型号

IRFP460, STP75NF06, FDP5700

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GR343DD72W154KW01L参数

  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列GR3
  • 电容0.15µF
  • 电压 - 额定450V
  • 容差±10%
  • 温度系数X7T
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 尺寸/尺寸0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.079"(2.00mm)
  • 引线间隔-
  • 特点-
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称490-5739-6