GR343DD72W154KW01L是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高电压和高电流场景。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,适用于工业级和消费级电子设备中的电源管理电路。
此型号为N沟道增强型MOSFET,具有出色的热性能和电气特性,能够显著提升系统的效率和稳定性。
额定电压:700V
额定电流:40A
导通电阻:0.08Ω
栅极电荷:75nC
输入电容:1250pF
最大功耗:200W
工作温度范围:-55℃至150℃
1. 高击穿电压,可承受高达700V的工作电压,确保在高电压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻,仅为0.08Ω,在大电流应用中降低功耗和发热。
3. 快速开关能力,栅极电荷小,有助于提高系统效率并减少电磁干扰(EMI)。
4. 良好的热性能设计,能够在高温环境下保持长期可靠运行。
5. 提供卓越的短路耐受能力和鲁棒性,适合各种严苛的应用环境。
GR343DD72W154KW01L广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动、不间断电源(UPS)等高电压和高电流场景。其高效能和高可靠性使其成为工业控制、新能源汽车和家用电器领域的理想选择。
IRFP460, STP75NF06, FDP5700