GR343DD72W154KW01K 是一款高性能的工业级功率MOSFET芯片,主要用于高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,从而显著降低能量损耗并提升系统性能。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件,能够承受较高的电压和电流,同时支持高频工作环境,适用于对效率和可靠性要求极高的工业场景。
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):700V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):15A
导通电阻(Rds(on)):154mΩ
功耗(Ptot):250W
结温范围(Tj):-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247
GR343DD72W154KW01K 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗,提升整体效率。
2. 高速开关能力,适合高频电路设计。
3. 具备优异的热稳定性,能够在极端温度环境下可靠运行。
4. 内置ESD保护机制,提高器件的抗静电能力。
5. 支持大电流和高电压操作,满足多种复杂应用场景需求。
6. 封装坚固耐用,便于散热和安装。
这些特性使该器件在工业自动化设备、新能源汽车及电力电子领域有着广泛应用。
GR343DD72W154KW01K 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器控制。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 电动车动力系统中的电控单元。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 高压大电流负载切换和保护电路。
由于其强大的性能和可靠性,该芯片成为许多高要求应用的理想选择。
IRFP460,
STP15NM70,
FDP18N70,
IXTH15N70P