时间：2025/5/13 12:13:27
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GQM22M5C2HR50DB01L 是一款由东芝（Toshiba）生产的高可靠性汽车级功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能，适用于汽车电子系统中的各种高效能开关和负载管理应用。
此型号的后缀“DB01L”表示其符合AEC-Q101标准，并针对恶劣环境下的汽车应用进行了优化设计。
类型：N-Channel MOSFET
电压(Vdss)：60V
电流(Id)：48A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
栅极电荷(Qg)：45nC
工作温度范围：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-263-3 (D2PAK)
GQM22M5C2HR50DB01L 的主要特点是低导通电阻和高效率，能够显著降低功耗并提高系统的整体效能。
1. 极低的导通电阻（Rds(on) = 3.5mΩ），可减少功率损耗并提升转换效率。
2. 快速开关特性，适合高频应用场合。
3. 符合AEC-Q101标准，具备优异的可靠性和抗振性，能够在极端条件下稳定运行。
4. 支持大电流（Id = 48A），适用于需要高负载能力的应用场景。
5. 宽广的工作温度范围（-55℃至175℃），使其非常适合于汽车发动机舱等高温环境。
6. 具备强大的浪涌电流处理能力，提高了在瞬态条件下的耐用性。
该功率MOSFET广泛应用于汽车电子系统和工业领域：
1. 汽车启动马达控制电路。
2. 汽车DC-DC转换器与逆变器模块。
3. 车载信息娱乐系统供电管理。
4. LED驱动器及照明控制。
5. 各类电机驱动和负载切换电路。
6. 工业设备中的电源管理和保护电路。
TPH9000APB, FDP5500BL, IRF7747TRPBF
