时间：2025/5/22 19:47:11
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GQM2195G2HR60DB12D 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，广泛应用于高频开关电源、DC-DC 转换器和无线充电等领域。该器件具有极低的导通电阻和快速的开关速度，能够显著提升系统的效率和功率密度。
此型号是经过优化设计的 GaN FET，采用 DFN 封装形式，具备良好的散热性能和高可靠性，适用于需要高性能和紧凑设计的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：18A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：40nC
开关频率：高达 5MHz
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
封装类型：DFN-8
1. 采用先进的氮化镓技术，提供卓越的效率和功率密度。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)）有效降低传导损耗。
3. 高频开关能力，支持 MHz 级别的应用需求。
4. 内置保护功能，增强器件在复杂环境中的可靠性。
5. 紧凑型封装设计，减少 PCB 占用面积，适合小型化设备。
6. 出色的热性能确保长时间稳定运行。
7. 支持多种拓扑结构，包括同步整流、降压转换等。
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. DC-DC 转换器和 POL 调节器。
3. 快速充电适配器和无线充电模块。
4. 激光雷达 (LiDAR) 和其他高频脉冲应用。
5. 工业自动化设备中的高效电源解决方案。
6. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电系统。
7. 数据中心服务器和通信设备中的电源管理单元。
GQM2195G1HR60DB12D, GQM2195G3LR60DB12D
