时间：2025/3/25 9:41:09
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GQM2195G2H5R4CB12J 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效能应用而设计。该型号具有出色的开关性能和低导通电阻，适用于电信基础设施、数据中心电源系统以及工业应用中的功率转换场景。
其封装形式为紧凑型表面贴装设计，能够提供卓越的散热性能和可靠性，同时支持更高的工作频率和更小的解决方案尺寸。
类型：增强型氮化镓场效应晶体管
额定电压：600V
额定电流：30A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：80nC
连续漏极电流：30A
最大功耗：180W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装：LFPAK56D
1. 采用先进的氮化镓技术，实现更低的导通电阻和更高的效率。
2. 支持高达 600V 的阻断电压，适用于广泛的高压应用场景。
3. 超低栅极电荷和输出电荷，有助于实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
4. 提供优异的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 紧凑的封装设计有助于减小整体解决方案尺寸，提升功率密度。
1. 数据中心和电信设备中的 AC-DC 和 DC-DC 功率转换。
2. 工业电机驱动和逆变器。
3. 太阳能光伏逆变器和其他可再生能源系统。
4. 电动汽车充电站和车载充电器。
5. 高频谐振变换器和 LLC 拓扑结构。
6. 高效 SMPS（开关模式电源）设计。
GQF2195G2H5R4CB12J
GQN2195G2H5R4CB12J
