时间：2025/6/21 10:06:23
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GQM2195C2E620JB12D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效率、高频开关应用。该芯片采用先进的制造工艺，在导通电阻和开关性能上具有显著优势，适用于多种工业及消费电子领域。
型号：GQM2195C2E620JB12D
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：62V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ
总闸极电荷(Qg)：85nC
功耗(PD)：150W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
GQM2195C2E620JB12D 具有卓越的电气性能和热性能。
其超低的导通电阻使得导通损耗极小，从而提高整体系统效率。同时，该器件支持高电流操作，并具备快速开关能力，能够有效降低开关损耗。
此外，这款功率 MOSFET 在封装设计上采用了强化散热结构，进一步提升了可靠性与稳定性。
它还拥有出色的短路耐受能力和抗干扰性能，适合于严苛环境下的应用需求。
GQM2195C2E620JB12D 广泛应用于各种电力电子转换场景中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源(SMPS)：
提供高效稳定的直流输出，用于计算机、通信设备等。
- 电机驱动：
实现对直流无刷电机或步进电机的精确控制。
- 工业自动化：
为可编程逻辑控制器(PLC)及其他工业设备提供高效的功率管理解决方案。
- 新能源：
如太阳能逆变器、电动汽车充电模块等领域，确保能量转换过程中的低损耗和高可靠性。
- 消费类电子产品：
包括家用电器、LED 照明驱动等需要高性能功率转换的应用。
GQM2195C2E600JB12D, GQM2195C2E650JB12D
