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GQM2195C2E250JB12D 发布时间 时间:2025/7/9 8:41:05 查看 阅读:7

GQM2195C2E250JB12D是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高耐压和快速开关速度的特点,能够有效提升电路效率并降低能耗。
  其封装形式为TO-263,适合表面贴装技术(SMT),能够在紧凑的设计中提供卓越的性能表现。

参数

型号:GQM2195C2E250JB12D
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压Vds:250V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  最大漏极电流Id:12A
  导通电阻Rds(on):1.2Ω(在Vgs=10V时)
  功耗Pd:250W
  结温范围Tj:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-263

特性

GQM2195C2E250JB12D具备以下主要特性:
  1. 低导通电阻:在Vgs=10V时仅为1.2Ω,能够显著减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 高耐压能力:最大漏源电压为250V,适用于高压应用场景。
  3. 快速开关速度:优化的栅极电荷设计使得开关损耗较低,非常适合高频应用。
  4. 热稳定性强:具备较高的结温范围(-55℃至+175℃),确保在恶劣环境下稳定运行。
  5. 表面贴装封装:采用TO-263封装形式,便于自动化生产,提升装配效率。
  6. 可靠性高:通过严格的测试和筛选流程,保证产品的长期可靠性。

应用

GQM2195C2E250JB12D主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于高效能的AC-DC或DC-DC转换。
  2. 电机驱动:适用于各类电机控制场景,如步进电机和直流无刷电机。
  3. 工业自动化:用于工业设备中的功率控制模块。
  4. 汽车电子:适用于汽车中的负载切换和逆变器应用。
  5. 电池管理系统:用于保护电路和均衡电路。
  6. LED驱动器:为大功率LED照明提供高效的驱动解决方案。

替代型号

GQM2195C2E250JB12B, IRFZ44N, STP12NK50Z

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  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.91728卷带(TR)
  • 系列GQM
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容25 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定250V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.039"(1.00mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-