GQM2192C1H7R8CB01J 是一款高性能的钽电容器,主要用于需要高稳定性和低等效串联电阻(ESR)的应用场景。该型号属于 KEMET 公司的 Ta-C 超低 ESR 系列,采用固体锰 dioxide 作为阴极材料,具有出色的频率特性和温度稳定性。此电容器通常用于电源滤波、去耦和信号处理电路中,特别适合于需要高频性能和小封装尺寸的设计。
该器件采用 Cased Size H 封装,具有耐焊性,并支持回流焊接工艺,广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
额定电压:6.3V
容量:47μF
容差:±20%
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
ESR(最大值,100kHz):35mΩ
高度(最大值):1.2mm
直径(最大值):1.6mm
封装类型:径向
端子类型:锡/银涂层
GQM2192C1H7R8CB01J 的主要特性包括:
1. 高可靠性:基于固体钽技术,确保在苛刻环境下的长期稳定性。
2. 超低 ESR:在高频条件下表现出优异的性能,有助于提高电源效率。
3. 广泛的工作温度范围:从 -55℃ 到 +125℃,适用于极端温度条件下的应用。
4. 紧凑设计:小型化封装使其非常适合空间受限的设计。
5. 高纹波电流能力:能够承受较高的纹波电流,延长使用寿命。
6. RoHS 合规:符合环保要求,满足全球市场的准入标准。
这些特性使得 GQM2192C1H7R8CB01J 成为高性能电子设备的理想选择,特别是在需要稳定电源和快速响应的应用中。
GQM2192C1H7R8CB01J 常用于以下领域:
1. 电源管理:如 DC-DC 转换器中的输入输出滤波。
2. 信号处理:用于放大器和运算电路中的旁路和耦合。
3. 消费电子产品:例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
4. 工业控制:如 PLC 和电机驱动器中的去耦应用。
5. 通信设备:包括基站和路由器中的高频滤波。
由于其卓越的电气特性和可靠性,该电容器能够显著提升系统的整体性能和稳定性。
GQM2192C1H7R8BB01J
GQM2192C1H7R8AB01J
GQM2192C1H7R8DB01J