时间：2025/6/21 3:21:43
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GQM1875G2ER50DB12J 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率和低功耗应用设计。它采用先进的制造工艺，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适用于各种工业和消费类电子产品中的电源管理场景。
该芯片属于沟道型 MOSFET 系列，能够提供卓越的热性能和电气特性，从而提升系统的整体效率。其封装形式和引脚布局经过优化，便于在紧凑型设计中使用。
类型：MOSFET
极性：N-Channel
漏源电压(Vds)：75V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ
栅极电荷(Qg)：90nC
最大功耗(Ptot)：260W
工作温度范围：-55°C to 175°C
封装形式：TO-247-3L
GQM1875G2ER50DB12J 的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流应用中减少功率损耗。
2. 高速开关能力，适合高频 PWM 控制器和 DC-DC 转换器。
3. 出色的热稳定性，即使在极端条件下也能保持可靠的性能。
4. 强大的雪崩能量处理能力，增强了器件的耐用性和鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电路设计中。
这款芯片的设计使得它非常适合用于需要高效率、低热量生成和稳定运行的场合。
GQM1875G2ER50DB12J 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器控制。
3. 工业自动化设备中的电源管理。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
5. 电动车充电器和电池管理系统 (BMS)。
6. 高效照明系统，如 LED 驱动器。
由于其优异的性能和可靠性，这款 MOSFET 在高功率密度和苛刻环境下的应用中表现尤为突出。
GQM1875G2ER50DB12K, IRF540N, FDP5800
