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GQM1875C2ER40WB12D 发布时间 时间:2025/7/1 21:43:19 查看 阅读:6

GQM1875C2ER40WB12D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和优异的开关性能,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  其封装形式为TO-263(D-PAK),具备出色的散热性能,适合在高电流和高频环境下使用。同时,这款芯片还支持严格的工业级工作温度范围(-55°C至+150°C),确保在各种复杂工况下的稳定性。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):75V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):9nC
  总电容(Ciss):2200pF
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-263(D-PAK)

特性

1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少导通损耗,从而提高整体效率。
  2. 优化的开关性能,使得动态损耗显著降低,特别适用于高频应用。
  3. 工业级的工作温度范围,保证了恶劣环境下的可靠性和耐用性。
  4. 具备ESD保护功能,提高了芯片的抗静电能力。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全。
  6. 封装设计紧凑,易于焊接和集成到PCB中。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心元件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换。
  5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
  6. 工业自动化设备中的功率调节组件。

替代型号

IRFZ44N
  STP40NF06L
  FDP067N06S

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GQM1875C2ER40WB12D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.98762卷带(TR)
  • 系列GQM
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.4 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定250V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.031"(0.80mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-