时间：2025/7/1 21:43:19
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GQM1875C2ER40WB12D是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，能够有效降低功耗并提升系统效率。
其封装形式为TO-263（D-PAK），具备出色的散热性能，适合在高电流和高频环境下使用。同时，这款芯片还支持严格的工业级工作温度范围（-55°C至+150°C），确保在各种复杂工况下的稳定性。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：75V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：9nC
总电容(Ciss)：2200pF
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-263（D-PAK）
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少导通损耗，从而提高整体效率。
2. 优化的开关性能，使得动态损耗显著降低，特别适用于高频应用。
3. 工业级的工作温度范围，保证了恶劣环境下的可靠性和耐用性。
4. 具备ESD保护功能，提高了芯片的抗静电能力。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
6. 封装设计紧凑，易于焊接和集成到PCB中。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
6. 工业自动化设备中的功率调节组件。
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP067N06S
