GQM1875C2E9R1DB12D 是一款多层陶瓷电容器 (MLCC),属于高可靠性器件,广泛应用于需要高频、低ESR和稳定性能的电子电路中。该型号由知名制造商生产,适用于工业和消费类电子产品领域,具有出色的电气特性和机械稳定性。
这款电容器采用X7R介质材料,具备良好的温度稳定性和容量变化特性,适合在较宽的工作温度范围内使用。
型号:GQM1875C2E9R1DB12D
封装:1812
电容值:0.1μF
额定电压:50V
耐压等级:50V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
介质材料:X7R
阻抗:低
公差:±10%
DC偏置特性:良好
频率特性:优秀
GQM1875C2E9R1DB12D 的主要特性包括以下几点:
1. 使用X7R介质材料,能够在较宽的温度范围内保持稳定的电容值。
2. 具有较高的耐压能力,能够承受高达50V的工作电压。
3. 封装尺寸为1812,适合表面贴装技术 (SMT),便于自动化生产和焊接。
4. 提供较低的等效串联电阻 (ESR) 和等效串联电感 (ESL),适合高频应用。
5. 良好的直流偏置特性,确保在不同工作条件下维持稳定的电容值。
6. 工作温度范围广,支持从-55℃到+125℃的应用环境。
7. 高可靠性设计,满足多种工业和消费类应用需求。
GQM1875C2E9R1DB12D 适用于以下场景:
1. 滤波电路:用于电源滤波和信号滤波,减少噪声干扰。
2. 耦合与去耦:在高频数字电路中提供稳定的电源去耦效果。
3. 匹配网络:在射频 (RF) 和无线通信系统中用作阻抗匹配元件。
4. 能量存储:在脉冲电路或能量缓冲电路中提供快速充放电功能。
5. 工业控制:用于各种工业设备中的信号处理和电源管理模块。
6. 消费类电子:如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的高频电路。
GQM1875C2E9R1BB12D
GJM1885X7R9B1H104KA
KEMET C0805C104K4RACTU
TDK C1608X7R1C104K160AC