时间：2025/5/16 18:35:29
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GQM1875C2E200GB12D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率开关应用设计。它采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能。这款器件适用于工业、消费电子以及汽车领域中的多种应用场景。
型号：GQM1875C2E200GB12D
类型：N-Channel MOSFET
额定电压：650 V
额定电流：200 A
导通电阻：1.2 mΩ
最大功耗：300 W
封装形式：D2PAK (TO-263)
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
栅极电荷：90 nC
反向恢复时间：35 ns
GQM1875C2E200GB12D 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗，提高整体系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用场合。
3. 高耐压能力，确保在高压环境下稳定运行。
4. 出色的热性能设计，具备良好的散热能力。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
6. 强大的电流承载能力，适用于大功率应用。
7. 紧凑型封装设计，节省 PCB 空间。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 电动车和混合动力车中的牵引逆变器。
6. 高效照明系统，如 LED 驱动器。
7. 各类需要高效率功率转换的应用场景。
GQM1875C2E150GA12D, IRFP260N, FDP18N65C3
