您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GQM1875C2E100RB12D

GQM1875C2E100RB12D 发布时间 时间:2025/5/30 22:00:18 查看 阅读:7

GQM1875C2E100RB12D是一款高性能的功率MOSFET芯片,属于N沟道增强型场效应晶体管。该型号广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效率和低功耗的场景。其设计旨在提供较低的导通电阻以及快速的开关速度,以满足现代电子设备对能源效率的要求。
  该器件采用了先进的半导体制造工艺,确保在高温和高负载条件下仍能保持稳定的工作性能。此外,它还具有良好的热特性和电气特性,使其成为工业和消费类电子产品中的理想选择。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  耐压:100V
  最大电流:45A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:36nC
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GQM1875C2E100RB12D具备出色的电气性能和可靠性,以下是其主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流应用中减少功率损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频开关电源和DC-DC转换器。
  3. 优秀的热性能,能够承受较高的结温,适应恶劣的工作环境。
  4. 内置ESD保护电路,提高了器件在实际应用中的抗静电能力。
  5. 栅极阈值电压经过优化,保证了稳定的驱动和控制性能。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保,无铅设计。
  GQM1875C2E100RB12D凭借这些特性,已经成为众多功率电子产品的核心元件之一。

应用

该型号的MOSFET适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. 电机驱动电路,如步进电机、直流无刷电机等的控制。
  3. DC-DC转换器,用于笔记本电脑适配器、汽车电子等领域。
  4. 太阳能逆变器和UPS不间断电源系统的功率级模块。
  5. 各种工业自动化设备中的功率管理单元。
  GQM1875C2E100RB12D凭借其高效、可靠的特点,在这些应用中表现出色,有效降低了能耗并提升了整体系统的稳定性。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5570
  STP100N10F5

GQM1875C2E100RB12D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

GQM1875C2E100RB12D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.82856卷带(TR)
  • 系列GQM
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容10 pF
  • 容差±2.5%
  • 电压 - 额定250V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.031"(0.80mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-