时间：2025/6/20 18:59:22
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GQM1555C2DR70BB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率、低功耗应用而设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备出色的开关性能和导通特性。
其主要应用于电源管理领域，如DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关以及其他需要高效功率转换的场景。
型号：GQM1555C2DR70BB01D
类型：N沟道功率MOSFET
封装：TO-263 (DPAK)
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大漏极电流Id：48A（脉冲）
导通电阻Rds(on)：3.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：130W
工作温度范围Tj：-55°C至+175°C
栅极电荷Qg：49nC（典型值）
输入电容Ciss：3040pF（典型值）
GQM1555C2DR70BB01D具有极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗，提升系统效率。
该器件支持高频开关操作，适用于对速度要求较高的应用场景。
它具备较强的耐热能力和鲁棒性，能够在恶劣环境下稳定运行。
此外，内置的ESD保护功能进一步增强了其可靠性。
通过优化的封装设计，该功率MOSFET能够提供高效的散热性能，满足高功率密度需求。
这款MOSFET广泛用于各种工业和消费电子设备中，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 电动工具和家用电器中的电机驱动
- 汽车电子系统中的负载切换
- 笔记本电脑适配器及充电器
- 工业自动化设备中的功率控制模块
- LED照明系统的恒流驱动电路
GQM1555C2DR70BB01D凭借其卓越的性能表现，成为众多功率转换方案的理想选择。
GQM1555C2DR70BB02D, IRF7843, FDP5580
