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GQM1555C2D300GB01D 发布时间 时间:2025/5/30 21:57:44 查看 阅读:6

GQM1555C2D300GB01D 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理、电机驱动和开关应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合于高效率和高频率的工作环境。
  这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,其设计能够承受较高的电压和电流负载,同时提供出色的热性能和电气性能。

参数

型号:GQM1555C2D300GB01D
  类型:N沟道功率MOSFET
  最大漏源电压(Vds):300V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):18A
  导通电阻(Rds(on)):0.12Ω
  栅极电荷(Qg):45nC
  输入电容(Ciss):2200pF
  总功耗(Ptot):150W
  工作温度范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GQM1555C2D300GB01D 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够在高电流条件下减少功率损耗。
  2. 快速的开关速度,使得其适用于高频应用,从而提升整体系统效率。
  3. 高耐压能力(300V),保证在高压环境下稳定运行。
  4. 具备良好的热性能,能够有效散热以延长使用寿命。
  5. 小型化的封装设计,便于集成到紧凑型电路中。
  6. 可靠性高,能够在恶劣的工业环境中保持稳定表现。
  这些特性使其成为许多高要求应用的理想选择,如逆变器、DC-DC转换器和电机控制等。

应用

GQM1555C2D300GB01D 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. 太阳能逆变器和风力发电系统的功率转换。
  4. 工业自动化设备中的电源管理和控制。
  5. 电动车和混合动力车中的牵引逆变器。
  由于其强大的电气性能和可靠性,该器件特别适合需要高效率和高可靠性的应用场景。

替代型号

GQM1555C2D300GA01D, GQM1555C2D300GB02D, IRF840, STP18NF30

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GQM1555C2D300GB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.86332卷带(TR)
  • 系列GQM
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容30 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-