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GQM1555C2D200GB01D 发布时间 时间:2025/7/1 21:36:12 查看 阅读:5

GQM1555C2D200GB01D 是一款高性能功率 MOSFET 芯片,属于沟道增强型场效应晶体管。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种需要高效电能转换的场景。
  该芯片的设计旨在提供卓越的效率和可靠性,同时支持高频工作环境下的稳定运行。

参数

型号:GQM1555C2D200GB01D
  类型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源极电压):60V
  RDS(on)(导通电阻):2.5mΩ
  ID(连续漏极电流):130A
  Qg(栅极电荷):45nC
  fSW(推荐开关频率):500kHz
  封装形式:TO-247-3
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

GQM1555C2D200GB01D 的主要特点是其具备超低的导通电阻,能够显著降低导通损耗,从而提升整体系统效率。此外,该器件的高速开关性能使其非常适合高频应用场合,例如 DC-DC 转换器和逆变器等。
  该芯片还具有出色的热性能,可有效分散热量并延长使用寿命。同时,它采用了坚固耐用的结构设计,在恶劣环境下也能保持可靠运行。
  此外,这款 MOSFET 具备强大的雪崩能力,能够在短路或过载情况下保护电路免受损害。

应用

GQM1555C2D200GB01D 主要用于需要高效功率转换的应用中,包括但不限于以下领域:
  1. 工业设备中的开关电源和电机控制器
  2. 新能源汽车的电池管理系统 (BMS) 和逆变器
  3. 高效 DC-DC 转换器
  4. 太阳能逆变器
  5. 通信基站中的电源模块
  6. 各种高频开关电路
  由于其大电流承载能力和高频工作的兼容性,这款器件在许多对性能要求较高的工业与商业应用中都表现优异。

替代型号

GQM1555C2D200GA01D, IRF840, STP120NF06

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GQM1555C2D200GB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.86332卷带(TR)
  • 系列GQM
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容20 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-