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GQM1555C2D1R6WB01D 发布时间 时间:2025/6/27 17:05:10 查看 阅读:32

GQM1555C2D1R6WB01D 是一款高性能的多层陶瓷电容器 (MLCC),适用于高频电路和信号处理。该型号属于 C0G 介质系列,具有高稳定性和低损耗特性,适合用于滤波、耦合和旁路等应用场合。
  这款电容器采用了先进的陶瓷材料制造工艺,确保其在温度变化和电压波动下仍能保持稳定的性能。

参数

容量:15pF
  额定电压:50V
  介质类型:C0G
  封装形式:0402
  公差:±0.3pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
  ESR(等效串联电阻):0.01Ω
  频率特性:适用于高达 GHz 级别的高频电路

特性

GQM1555C2D1R6WB01D 的主要特性包括:
  1. 极高的温度稳定性,容量变化小于 ±30ppm/℃。
  2. 超低的介质损耗,使得它非常适合高频应用场景。
  3. 小型化设计,占用电路板空间极小,有助于实现高密度布局。
  4. 高可靠性,符合 AEC-Q200 标准,适合汽车电子及其他严苛环境的应用。
  5. 具有良好的抗机械应力能力,可有效减少因焊接或振动引起的失效风险。

应用

GQM1555C2D1R6WB01D 广泛应用于以下领域:
  1. 射频 (RF) 和微波电路中的滤波和匹配网络。
  2. 高速数字电路中的电源去耦和信号完整性优化。
  3. 汽车电子系统中的噪声抑制和信号调理。
  4. 医疗设备、通信基站和工业控制中的高性能信号处理模块。
  5. 无线通信模块中的谐振回路和耦合元件。

替代型号

GQM1555C2D1R6WA01D
  GQM1555C2D1R6WB01A

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GQM1555C2D1R6WB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥1.00158卷带(TR)
  • 系列GQM
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1.6 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-